目前全球最先进的积体电路(IC)量产技术为14纳米，不过国家实验研究院已着手研究5纳米的IC，并透过材料和结构上的创新，成功研发出比现行更省电、运算速度更快的IC，且获选国际电子元件会议的焦点论文，最快5年后有机会正式导入产业界量产。
国研院纳米元件实验室今天发表，两项获得全球顶尖电子元件国际会议焦点论文的新技术，包含“纳米级菱形锗高速通道技术”及“原子级二硫化钼二维通道技术”。
研究员陈旻政表示，产业界不断追求电晶体微小化，其目的在于缩短电流传输的时间，以达到快速运算且节能的功效。而实验室历经半年以上的时间，成功透过纳米级蚀刻技术，在数10纳米大的锗通道内，雕出“菱形”结构，将电流通道拓展为4个面向，可使传输速度比现行的高出1倍。
此外纳米元件实验室也创世界之先，将厚度仅4纳米的二维二硫化钼与现今主流的鳍式电体结构整合，并搭配“双闸极”设计，减少漏电情形，用电量可比现行的IC节省一半。
陈旻政说，目前IC大厂已有技术将IC从14纳米逐渐缩减为5纳米，而这两项技术若要被采行、量产，最快可能要等到5年后，不过这两项技术为10至15年后的元件电路设计开创出新方案，因此备受科学界瞩目。
